CMPTA06 TR
型號: CMPTA06 TR
類別: IGBT陣列
封裝: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
描述: Central Semiconductor CMPTA06 TR雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) NPN Med Power
品牌官網(wǎng): www.centralsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
|
250mV @ 10mA, 100mA
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躍遷頻率
|
100MHz
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功率 - 最大值
|
350mW
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供應(yīng)商器件封裝
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SOT-23
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
500mA
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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80V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
100nA
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
100 @ 100mA, 1V
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Pd-功率耗散
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350mW
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直流電流增益hFE最大值
|
50at10mAat1V
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零件號別名
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CMPTA06PBFREETR
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集電極—射極飽和電壓
|
0.25V
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制造商
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CentralSemiconductor
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最小工作溫度
|
-65C
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最大直流電集電極電流
|
0.5A
|
集電極連續(xù)電流
|
0.45A
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商標
|
CentralSemiconductor
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封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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集電極—基極電壓VCBO
|
80V
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系列
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CMPTA06
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產(chǎn)品fT
|
100MHz
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產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
80V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
50at10mAat1V,50at100mAat1V
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工廠包裝數(shù)量
|
3000
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晶體管極性
|
NPN
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發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
4V
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